[发明专利]一种光伏芯片的制作方法及光伏组件

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种光伏芯片的制作方法及光伏组件。本发明的光伏芯片的制作方法中，刻划第三沟槽时，其刻划路径与第二沟槽的刻划路径相邻且相邻的一侧重合，或其刻划路径至少部分位于第二沟槽的刻划路径内，使得第二沟槽内的第二电极层的材料形成的导通部与第三沟槽直接相邻。因此第三沟槽与导通部之间不存在死区，从而增加了光伏芯片的有效面积。本发明实施例提供的光伏组件，其包括由上述光伏芯片的制作方法所制得的光伏芯片，因此具有死区少、有效面积大的优点。

主权项

1.一种光伏芯片的制作方法，其特征在于，其包括：在具有第一沟槽的第一电极层上铺设光吸收层；在所述光吸收层上刻划第二沟槽，所述第二沟槽底部延伸至所述第一电极层表面；在所述光吸收层上铺设第二电极层，所述第二沟槽被所述第二电极层的材料填充；在所述第二电极层上刻划第三沟槽，所述第三沟槽底部延伸至所述第一电极层的表面，其中，所述第三沟槽的刻划路径与所述第二沟槽的刻划路径相邻且相邻的一侧重合，或者所述第三沟槽的刻划路径至少部分位于所述第二沟槽的刻划路径内以使得部分位于所述第二沟槽中的所述第二电极层的材料被刻除；所述第二沟槽中剩余的所述第二电极层的材料形成导通部，所述第三沟槽位于所述导通部的一侧。