[发明专利]半腔结构波导环行器在审

专利信息
申请号: 201811123190.0 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109216841A 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 王檠;袁兴武 申请(专利权)人: 西南应用磁学研究所
主分类号: H01P1/38 分类号: H01P1/38;G01R31/00
代理公司: 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 代理人: 杨晖琼
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种半腔结构波导环行器,属于微波元器件技术领域,包括上腔、下腔和连接件,所述上腔和下腔通过所述连接件连接,所述上腔设置有旋磁基片和永磁体,所述下腔仅设置有永磁体;采用本发明的半腔结构波导环行器,另外配合转接器,可以组成新的低功率源需求的波导环行器功率试验系统,采用该系统进行试验,可以解决波导环行器因缺少功率源而不能进行平均功率试验和极限功率评估的问题;同时本技术的推广,可以降低该类波导环行器功率试验和极限功率评估试验时的对功率源的需求,降低试验成本,减小功率系统对试验人员的伤害,增大对功率试验系统本身的保护。
搜索关键词: 波导环行器 半腔结构 功率试验 上腔 下腔 极限功率 功率源 连接件 永磁体 试验 微波元器件 功率系统 平均功率 评估试验 试验成本 低功率 转接器 减小 旋磁 评估 伤害 配合
【主权项】:
1.一种半腔结构波导环行器,包括上腔、下腔和连接件,所述上腔和下腔通过所述连接件连接,其特征在于,所述上腔设置有旋磁基片和永磁体,所述下腔仅设置有永磁体。
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