[发明专利]一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法

摘要

本发明公开了一种堆叠式图像传感器像素结构与制备方法，采用键合方式将第一硅片～第三硅片上下堆叠在一起；其中，在位于中层的第一硅片上设有第一感光二极管阵列，在位于上层的第二硅片上设有第二感光二极管阵列，第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的表面与对应的第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的表面对准键合，使形成的堆叠式图像传感器芯片具有非常深的结深，特别适用于近红外感光，能在近红外波段有效提升量子效率；且可利用背照工艺，使得照射到感光二极管的入射光不受金属互连影响，灵敏度较高，填充因子较高，特别是对于小尺寸像元来说具有非常好的感光性能，从而既兼顾了近红外量子效率，也兼顾了小像素尺寸。

主权项

1.一种堆叠式图像传感器像素结构，其特征在于，包括：一第一硅片，其包括：位于上层的第一感光二极管阵列及控制晶体管；位于下层的金属互连层；一第二硅片，其包括：第二感光二极管阵列；所述第二硅片与第一硅片上下堆叠并相键合；其中，所述第一硅片、第二硅片分别为体硅硅片；所述第一感光二极管阵列中各第一感光二极管的上表面露出于第一硅片的上表面并与其相平齐，所述第二感光二极管阵列中各第二感光二极管的上表面和下表面分别露出于第二硅片的上表面和下表面并与其相平齐，每一第一感光二极管的上表面与一对应的第二感光二极管的下表面对准并相键合，所述第一硅片上各第一感光二极管以外的上表面与对应的第二硅片上各第二感光二极管以外的下表面对准并相键合。