[发明专利]工艺气体流量补偿的装置及方法、半导体处理设备有效
| 申请号： | 201811123377.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957235B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 胡云龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工艺气体流量补偿的装置及方法、半导体处理设备。包括工艺管路以及依次串接在所述工艺管路并选择性连通的气源罐、初级流量计、缓存罐和次级流量计；所述装置还包括压力计以及与所述压力计电连接的控制器；其中，所述压力计，用于实时检测所述缓存罐内的气体压力实际值，并将所述气体压力实际值发送至所述控制器；所述控制器，用于将所述气体压力实际值与预设的气体压力标准值进行比较，并根据比较结果，调整所述初级流量计的气体流量设定值，以使得所述气体压力实际值与所述气体压力标准值一致。可以有效补偿工艺气体因饱和蒸气压消耗导致温度变化而影响次级流量计流量微小波动的情况，提高工艺结果重复性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 气体 流量 补偿 装置 方法 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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