[发明专利]制造集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 201811123457.6 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109559980A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 洪锡九;文桢皓;金珍珠;全今慧 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。 | ||
| 搜索关键词： | 显影 第一区域 抗反射涂覆层 光致抗蚀剂层 涂覆区域 抗反射 集成电路器件 光酸产生剂 化学增强 增强树脂 曝光 非化学 聚合物 酸扩散 基板 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂、光敏化合物和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过将所述光致抗蚀剂层的第一区域暴露于光，在所述光致抗蚀剂层的第一区域中产生从所述光酸产生剂衍生的第一酸和从所述光敏化合物衍生的第二酸；将所述光致抗蚀剂层的暴露的第一区域中的所述第一酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述光致抗蚀剂层的第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
