[发明专利]一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811123546.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109461772B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王琦龙;杨文鑫;徐季;翟雨生;张晓兵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16;H01L29/06;H01L27/082;H01L21/8222;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 刘莎 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法，石墨烯隧穿晶体管包括源极、栅极、漏极、石墨烯薄膜、半导体或金属衬底、隧穿层、漏极绝缘层、栅极绝缘层、石墨烯钝化层以及直流偏置电压源；源电极和硅衬底相连，漏电极与石墨烯薄膜相连，石墨烯和衬底之间有一层隧穿层，栅极在电子隧穿部分的顶部。若半导体或金属衬底的功函数较小，漏极选择功函数较大的金属，器件为n型，反之漏极则采用功函数较大的金属，器件为p型。p型管漏极连接高电位，n型管源极连接低电位，两根管的共有栅极作为电路的输入端，p型管源极和n型管漏极相连，作为电路的输出端。新型石墨烯隧穿晶体管结构实现高响应速率、低静态功耗的数字逻辑反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 晶体管 反相器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨的隧穿晶体管，其特征在于，包括源极(1)、漏极(2)、栅极(3)、石墨烯薄膜(4)、衬底(5)、栅极绝缘层兼石墨烯钝化层(6)、漏极绝缘层(7)、隧穿层(8)、硅基底(25)，其中，硅基底(25)的上表面设置衬底(5)，衬底(5)的上表面间隔设置源极(1)和隧穿层(8)，隧穿层(8)一侧的上表面设置漏极绝缘层(7)，漏极绝缘层(7)的上表面设置漏极(2)，隧穿层(8)另一侧的上表面、漏极(2)的上表面以及漏极绝缘层(7)未设置漏极(2)的上表面依次向上设置石墨烯薄膜(4)、栅极绝缘层兼石墨烯钝化层(6)，栅极绝缘层兼石墨烯钝化层(6)的上表面设置栅极(3)，栅极(3)和隧穿层(8)之间仅存在石墨烯薄膜(4)和栅极绝缘层兼石墨烯钝化层(6)。
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