[发明专利]一种过渡金属硫族化合物晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811124074.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109411544B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过渡金属硫化物晶体管，自下而上包括：栅极、栅极介电层、沟道层以及位于栅极介电层两侧的源漏区，其特征在于，在沟道方向上以及水平面中垂直于沟道方向上，所述沟道层的长度大于所述栅极介电层的长度，所述栅极介电层的长度大于等于所述栅极的长度；其中，所述源漏区为具有金属性质的第一过渡金属硫族化合物，所述沟道层为具有半导体性质的第二过渡金属硫族化合物。本发明提供的一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法，能够有效解决过渡金属硫化物晶体管沟道与源漏区之间存在接触电阻过大的问题，能够使过渡金属硫化物晶体管与现有的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 化合物 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫化物晶体管，自下而上包括：栅极、栅极介电层、沟道层以及位于栅极介电层两侧的源漏区，其特征在于，在沟道方向上以及水平面中垂直于沟道方向上，所述沟道层的长度大于所述栅极介电层的长度，所述栅极介电层的长度大于等于所述栅极的长度；其中，所述源漏区为具有金属性质的第一过渡金属硫族化合物，所述沟道层为具有半导体性质的第二过渡金属硫族化合物。
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