[发明专利]一种刻蚀方法

摘要

本申请公开了一种刻蚀方法，该刻蚀方法在采用干法刻蚀工艺去除掉沟道孔底部的保护层之后，采用湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层，因湿法腐蚀工艺具有各向同性的特点，因此，在湿法去除沟道孔底部的存储器层时，湿法腐蚀工艺不仅会沿着沟道孔竖直方向向下腐蚀存储器层，还会沿着沟道孔横向方向横向刻蚀存储器层，如此，刻蚀掉的存储器层的横向尺寸大于先前干法刻蚀工艺刻蚀掉的保护层的横向尺寸，最后在去除掉沟道孔侧壁上的保护层之后，就会在沟道孔底部形成较大的横向空间。该较大的横向空间有利于后续沉积的多晶硅与沟道孔底部的外延结构的连接，进而有利于提高3D NAND存储器的性能。

主权项

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的保护层；采用干法刻蚀工艺去除沟道孔底部的保护层；采用第一湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺去除沟道孔底部的存储器层。