[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811128368.0 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109728072A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 云惟胜;林佑儒;余绍铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的方法。接纳半导体衬底。图案化所述半导体衬底以形成彼此间隔的多个突出部，其中所述突出部包括基底区段，及堆叠在所述基底区段上的晶种区段。形成多个第一绝缘结构，从而覆盖所述基底区段侧壁且暴露所述晶种区段的侧壁。形成多个间隔件，从而覆盖所述晶种区段的所述侧壁。部分移除所述第一绝缘结构以部分暴露所述基底区段的所述侧壁。移除从所述第一绝缘结构暴露的所述基底区段。在所述晶种区段下方形成多个第二绝缘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基底区段 绝缘结构 侧壁 晶种 半导体装置 突出部 衬底 移除 暴露 半导体 制造 间隔件 图案化 堆叠 覆盖 接纳 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：接纳半导体衬底；图案化所述半导体衬底以形成彼此间隔的多个突出部，其中所述突出部包括基底区段，及堆叠在所述基底区段上的晶种区段；形成多个第一绝缘结构，从而覆盖所述基底区段的侧壁且暴露所述晶种区段的侧壁；形成多个间隔件，从而覆盖所述晶种区段的所述侧壁；部分移除所述第一绝缘结构以部分暴露所述基底区段的所述侧壁；移除从所述第一绝缘结构暴露的所述基底区段；及在所述晶种区段下方形成多个第二绝缘结构。
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