[发明专利]基于铝氧化物的RRAM及其制备方法有效
| 申请号： | 201811128573.7 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109461812B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;戚燕菲;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
一种电子器件技术领域基于铝氧化物的RRAM及其制备方法，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化物 rram 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铝氧化物的RRAM，其特征在于，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。
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