[发明专利]微显示器件及其制备方法、显示面板在审
| 申请号： | 201811129007.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109346497A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭建利 | 申请（专利权）人： | 北京蜃景光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种微显示器件及其制备方法、显示面板，涉及LED显示领域，该微显示器件包括：半导体衬底；以及，形成在半导体衬底上的全彩色显示阵列；其中，全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，RGB像素包括红、绿、蓝像素单元，RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在半导体衬底上。通过利用掩模MBE法制备RGB像素各自独立的全彩色发光阵列，缓解了现有技术中存在的像素间串扰的技术问题，能够实现全彩显示，改善了微显示器件的发光效果。该微显示器件红、绿、蓝像素单元的发光层采用同样的量子阱材料，有利于降低工艺难度，且全在高真空下完成，在降低工艺难度的同时可避免因工艺交替而引入的杂质和缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 微显示器件 衬底 半导体 全彩色显示 工艺难度 显示面板 蓝像素 制备 法制备工艺 分子束外延 量子阱材料 全彩色发光 发光效果 全彩显示 直接形成 发光层 高真空 串扰 像素 掩模 引入 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种微显示器件，其特征在于，包括：半导体衬底；以及，形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
