[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811129845.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109545918B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;曹阳;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、质量改善层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，衬底的材料采用蓝宝石，N型半导体层、有源层和P型半导体层的材料采用氮化镓基材料，质量改善层包括依次层叠的第一子层和第二子层，第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝镓，第二子层的材料采用未掺杂的氮化铝铟，第一子层和第二子层中铝组分的含量均沿氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐减小。本发明可以有效提升外延片的晶体质量，有利于载流子在有源层中进行复合发光，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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