[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811130752.4 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109326697B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞;江斌;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。外延片包括：衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述浅阱层包括顺次层叠在N型掺杂GaN层上的第一段和第二段，第一段为高温GaN层和低温GaN层交叠生长的周期性结构，第二段为InGaN势阱层和GaN势垒层交叠生长的周期性结构，第一段中一高温GaN层与N型掺杂GaN层接触，第一段中一低温GaN层与第二段中一InGaN势阱层接触，第二段中一GaN势垒层与多量子阱层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，包括：衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，其特征在于，所述浅阱层包括顺次层叠在所述N型掺杂GaN层上的第一段和第二段，所述第一段为高温GaN层和低温GaN层交叠生长的周期性结构，所述第二段为InGaN势阱层和GaN势垒层交叠生长的周期性结构，所述第一段中一高温GaN层与所述N型掺杂GaN层接触，所述第一段中一低温GaN层与所述第二段中一InGaN势阱层接触，所述第二段中一GaN势垒层与所述多量子阱层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811130752.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
