[发明专利]一种SiCP 有效
申请号: | 201811130809.0 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109266894B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 郝玺;郝维新;张洁瑞;耿桂宏;李玉贵 | 申请(专利权)人: | 太原科技大学 |
主分类号: | C22C1/10 | 分类号: | C22C1/10;C22C1/03;C22C23/00;C22C32/00 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 王思俊 |
地址: | 030024 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: |
一种SiC |
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搜索关键词: | 一种 sic base sub | ||
【主权项】:
1.一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法,其特征在于实施步骤如下:第一步:在真空箱体(7)内的氮化硼坩埚(6)内放置16mm×16mm×30mm的镁合金样品件,再将表面上镀有一层厚度为0.095μm铜、颗粒度为10μm的SiCp放置在镁合金样品件上表面,Cu的质量占Cu‑SiCp的的17.3%,对真空箱体(7)抽真空至2×10‑4 Pa,同时填氩气至50kPa;第二步,对高频感应炉对真空箱体(7)内的镁合金样品件进行加热至至700℃,使镁合金样品件全部熔化;第三步,对上述金属熔体(5)进行保温处理,保温时间为10min;第四步,待保温时间结束后,对保温后的金属熔体(5)施加电脉冲,作用时间为10min;首先启动脉冲电源(2);然后调节脉冲电源(2)输出电压为55V,脉宽10μs,频率为30Hz,脉冲电流是通过调整输出电压在示波器(1)上显示的峰值来实现的;最后关闭加热装置(10),进入随炉冷却过程,待金属熔体(5)完全凝固后,关闭脉冲电源(2)。
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