[发明专利]一种SiCP有效

专利信息
申请号: 201811130809.0 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109266894B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 郝玺;郝维新;张洁瑞;耿桂宏;李玉贵 申请(专利权)人: 太原科技大学
主分类号: C22C1/10 分类号: C22C1/10;C22C1/03;C22C23/00;C22C32/00
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 王思俊
地址: 030024 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法,属于镁基复合材料技术领域。其特征是按以下步骤进行:一、将氮化硼坩埚放置在高频感应炉的真空箱体内,氮化硼坩埚与钼电极相连,氮化硼坩埚内装有16mm×16mm×30mm的镁合金样品件,镁合金上表面放置表面镀有一层厚度为0.095μm薄铜、颗粒度为10μm的SiCp;二、用高频感应炉对真空环境下的样品进行加热至700℃,使样品件全部熔化;三、对金属熔体进行保温处理,保温时间为10min;四、待保温时间结束后,对保温后的金属熔体施加电脉冲,作用时间为10min。优点是工艺高效可靠,可以获得更均匀的组织,并可以对SiCP的颗粒度以及体积分数量进行调控,可实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 sic base sub
【主权项】:
1.一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法,其特征在于实施步骤如下:第一步:在真空箱体(7)内的氮化硼坩埚(6)内放置16mm×16mm×30mm的镁合金样品件,再将表面上镀有一层厚度为0.095μm铜、颗粒度为10μm的SiCp放置在镁合金样品件上表面,Cu的质量占Cu‑SiCp的的17.3%,对真空箱体(7)抽真空至2×10‑4 Pa,同时填氩气至50kPa;第二步,对高频感应炉对真空箱体(7)内的镁合金样品件进行加热至至700℃,使镁合金样品件全部熔化;第三步,对上述金属熔体(5)进行保温处理,保温时间为10min;第四步,待保温时间结束后,对保温后的金属熔体(5)施加电脉冲,作用时间为10min;首先启动脉冲电源(2);然后调节脉冲电源(2)输出电压为55V,脉宽10μs,频率为30Hz,脉冲电流是通过调整输出电压在示波器(1)上显示的峰值来实现的;最后关闭加热装置(10),进入随炉冷却过程,待金属熔体(5)完全凝固后,关闭脉冲电源(2)。
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