[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201811130898.9 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109576654B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 小野大祐 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/56;C23C14/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种可通过使移动的工件附近的压力下降来提升膜的致密性的成膜装置。成膜装置包括:成膜部,具有在一端具有开口的成膜室,在成膜室内具有包括成膜材料的靶材,利用成膜室内的溅射气体中生成的等离子体使靶材的成膜材料堆积于与开口相向的工件的表面以进行成膜;以及搬运体,通过沿着规定的搬运路径对工件进行搬运而使所述工件反复通过与成膜室的开口相向的相向区域及不与成膜室的开口相向的非相向区域,搬运体具有:低压部位,载置工件,在通过相向区域时,使成膜室内小于等离子体的着火下限压力且大于等于等离子体的放电维持下限压力;以及高压部位,不载置工件,在通过相向区域时,使成膜室内大于等于着火下限压力。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,其特征在于具有:成膜部,具有在一端具有开口的成膜室,在所述成膜室内具有包括成膜材料的靶材,利用所述成膜室内的溅射气体中生成的等离子体使所述靶材的成膜材料堆积于与所述开口相向的工件的表面以进行成膜;以及搬运体,通过沿着搬运路径对所述工件进行搬运而使所述工件反复通过与所述成膜室的所述开口相向的相向区域及不与所述成膜室的所述开口相向的非相向区域,所述搬运体具有:低压部位,载置所述工件,在通过所述相向区域时,使所述成膜室内小于等离子体的着火下限压力且大于等于等离子体的放电维持下限压力;以及高压部位,不载置所述工件,在通过所述相向区域时,使所述成膜室内大于等于着火下限压力。
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