[发明专利]氮化硅膜的形成方法

摘要

披露了一种在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)将包括氮化物半导体层的外延衬底装入处于第一温度的反应炉内，并将炉内的气氛转换为氮气(N₂)；(b)将炉内的压力保持为高于30kPa，并将炉内的温度升至第二温度；(c)在第二温度下，将炉内气氛转换为氨气(NH₃)；(d)在低于100Pa的第二压力下，通过供给SiH₂Cl₂作为硅(Si)的源气体从而开始进行沉积。本发明的特征为从炉内温度达到临界温度到供给SiH₂Cl₂的时间长度小于20分钟，其中第一压力在所述临界温度下达到平衡压力。

主权项

1.一种在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法，包括以下步骤：将包括所述氮化物半导体层的外延衬底装入处于低于500℃的第一温度的炉内；将所述炉内的气氛由空气转换为氮气(N2)，并将所述炉内的压力设定为高于30kPa的第一压力；将所述炉内的温度升至高于750℃的第二温度，同时保持所述炉内的压力为所述第一压力；在20分钟内将所述炉内的气氛由氮气(N2)转换为氨气(NH3)；将所述炉内的压力设定为低于100Pa的第二压力；和通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)和氨(NH3)来沉积所述SiN膜。