[发明专利]形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201811131426.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957213A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张钦涛;翟清;赵伟;刘毅;孟德崑;陆俊峰;郭宝年;詹宁 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成半导体装置的方法，其可包括：在衬底层中形成沟渠，其中在所述衬底层的顶部上设置有硬掩模；以及相对于所述硬掩模的顶表面呈一角度对所述沟渠进行植入。所述方法可进一步包括：在所述沟渠内形成氧化物层，其中所述氧化物层沿所述沟渠的底部的厚度大于所述氧化物层沿所述沟渠的上部的厚度。本发明的形成半导体装置的方法可显著地简化工艺并改善半导体装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
