[发明专利]离子植入机及离子源发生装置在审
| 申请号： | 201811131449.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109300758A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 薛小帅;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种离子植入机及离子源发生装置，所述离子植入机中离子源发生装置包括：第一发生腔，第一发生腔内适于充入第一气体；位于第一发生腔周围的第一磁场源；天线，所述天线穿过第一发生腔的侧壁并延伸至第一发生腔内；位于所述第一发生腔外的电磁波源，所述电磁波源适于产生电磁波，所述电磁波源与所述天线连接，所述电磁波适于与第一气体发生共振而产生第一等离子体。所述离子植入机的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发生腔 离子植入机 电磁波源 发生装置 离子源 电磁波 天线 等离子体 气体发生 天线连接 磁场源 侧壁 共振 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种离子源发生装置，其特征在于，包括：第一发生腔，第一发生腔内适于充入第一气体；位于第一发生腔周围的第一磁场源；天线，所述天线穿过第一发生腔的侧壁并延伸至第一发生腔内；位于所述第一发生腔外的电磁波源，所述电磁波源适于产生电磁波，所述电磁波源与所述天线连接，所述电磁波适于与第一气体发生共振而产生第一等离子体。
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