[发明专利]一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811131561.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109449199A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;章红科;宁洪龙;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L21/443;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示领域中薄膜晶体管技术领域，公开了一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述全铝透明栅极薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。本发明的AZO/Al/AZO/Al/AZO堆叠栅极薄膜在室温下制备，且具有高透明度，高导电性等优点，该堆叠栅极材料安全无毒，制备成本低，可大面积制备，可广泛应用于透明TFT以及其他透明电子器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜晶体管 堆叠栅极 透明栅极 全铝 透明电子器件 栅极绝缘层 半导体层 玻璃基板 材料安全 高导电性 高透明度 依次层叠 层堆叠 漏电极 修饰层 薄膜 半导体 无毒 透明 应用 | ||
【主权项】：
1.一种全铝透明栅极薄膜晶体管，其特征在于，由依次层叠的玻璃基板、堆叠栅极、Al2O3栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成，所述堆叠栅极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构。
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