[发明专利]芯片内护城河结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811132402.1 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957276A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片内护城河结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，基板表面具有一扩散阻挡层；形成介电层于扩散阻挡层上，并形成金属互连结构及接合焊垫于介电层中，金属互连结构位于芯片主体区域；形成钝化保护层于介电层上；形成开孔于芯片主体区域以暴露出接合焊垫，并同步形成护城河凹槽结构于芯片周边区域，护城河凹槽结构包括至少两个分立设置的槽环，槽环往下延伸至介电层中，但未贯穿扩散阻挡层。本发明在芯片周边区域布置槽环，槽环环绕芯片主体区域，可以有效阻断晶圆切割应力往芯片主体区域传递，从而防止芯片内裂痕的产生。本发明减少了金属材料的使用，不仅可以降低工艺复杂度，提升良率，还有利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 护城河 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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