[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811132809.4 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109585391B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘重希;李建勋;吴俊毅;侯皓程;林鸿仁;郑荣伟;王宗鼎;梁裕民;邹立为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种示例性半导体封装件包括裸半导体芯片，邻近裸半导体芯片的封装的半导体芯片，以及接合至裸半导体芯片和封装的半导体芯片的再分布结构。再分布结构包括具有第一厚度的第一再分布层；具有第二厚度的第二再分布层；位于第一再分布层和第二再分布层之间的第三再分布层。第三再分布层具有大于第一厚度和第二厚度的第三厚度。该封装件还包括设置在裸半导体芯片和再分布结构之间的底部填充物，以及密封裸半导体芯片、封装的半导体芯片和底部填充物的模塑料。本发明实施例涉及半导体封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：裸半导体芯片；封装的半导体芯片，邻近所述裸半导体芯片；再分布结构，接合至所述裸半导体芯片和所述封装的半导体芯片，其中，所述再分布结构包括：第一再分布层，具有第一厚度；第二再分布层，具有第二厚度；和第三再分布层，位于所述第一再分布层和所述第二再分布层之间，所述第三再分布层具有大于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度；底部填充物，设置在所述裸半导体芯片和所述再分布结构之间；以及模塑料，密封所述裸半导体芯片、所述封装的半导体芯片和所述底部填充物，其中，通过所述模塑料暴露所述裸半导体芯片的第一表面和所述封装的半导体芯片的第二表面。
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