[发明专利]集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件

摘要

本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。采用竖直设置在衬底上的有源柱体以构成立式存储晶体管，从而有利于减小立式存储晶体管在衬底上的单元配置尺寸，进而能够进一步缩减集成电路存储器的尺寸。同时，竖直结构的立式存储晶体管具有更好的排布灵活性，例如能够实现多个立式存储晶体管呈六方密集排布，以提高集成电路存储器中存储单元的排布密集度。并且，有源柱体的横截面呈多边形，能够增加栅极通道的面积，由此改善立式存储晶体管的性能。