[发明专利]发光元件及其操作方法在审
申请号: | 201811133091.0 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN110137324A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 陈立宜;李欣薇 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/38;H05B33/08 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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摘要: | 本发明是关于一种发光元件,其包含第一型半导体层、第二型半导体层、多个第一电极以及第二电极。第一型半导体层包含多个低阻值部分以及高阻值部分。低阻值部分由高阻值部分彼此分隔开,且第一型半导体层的电阻值由低阻值部分往高阻值部分增加。第二型半导体层连接第一型半导体层。多个第一电极电性连接至低阻值部分,其中第一电极彼此电性隔绝。第二电极电性连接至第二型半导体层。上述配置使得微型发光二极管的亮度能够更轻易的被控制。 | ||
搜索关键词: | 第一型半导体层 第二型半导体层 第一电极 第二电极 电性连接 发光元件 微型发光二极管 彼此电性 电阻 分隔 配置 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包含:第一型半导体层,包含:多个低阻值部分;以及高阻值部分,其中该多个低阻值部分通过该高阻值部分而彼此分隔开,且该第一型半导体层的电阻值由该多个低阻值部分往该高阻值部分增加;第二型半导体层,连接该第一型半导体层;多个第一电极,电性连接至该多个低阻值部分,其中该多个第一电极彼此电性隔绝;以及第二电极,电性连接至该第二型半导体层。
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