[发明专利]双向开关

摘要

本申请涉及双向开关。提供一种形成在衬底中的双向开关，包括：反并联的第一主垂直晶闸管和第二主垂直晶闸管；第三辅助垂直晶闸管，具有与第一晶闸管的背表面层相同的背表面层；外围区域，围绕这些晶闸管，并且将背表面层连接至定位在衬底的另一侧的第三晶闸管的相同导电类型的中间层；金属化层，连接第一晶闸管和第二晶闸管的背表面；以及绝缘结构，定位在第三晶闸管的背表面层和金属化层之间，并且在第一晶闸管的外围下方延伸，这种结构包括：由绝缘材料制成的第一区域；以及由半导体材料制成的互补区域。

主权项

1.一种双向集成电路开关，包括：第一导电类型的半导体衬底，具有正表面和背表面；第一垂直晶闸管，包括阳极，所述阳极由所述衬底的在所述背表面处的具有第二导电类型的第一区域形成；第二垂直晶闸管，包括阴极，所述阴极由所述衬底的在所述背表面处的具有所述第一导电类型的第二区域形成，所述第二区域被形成在所述第一区域中；控制电路器件，形成在所述半导体衬底中，并且耦合到所述第一垂直晶闸管和所述第二垂直晶闸管；所述衬底的第三区域，所述第三区域在所述背表面处的具有所述第一导电类型，通过所述第一区域的一部分而与所述第二区域分离，所述第三区域被形成在所述第一区域中；绝缘材料，在不与所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域对应的位置处涂覆所述半导体衬底的所述背表面；其中所述第二区域、所述第三区域和所述绝缘材料围绕所述第一区域；以及金属化层，所述金属化层在所述绝缘材料上，所述金属化层涂覆并接触在所述半导体衬底的所述背表面上的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域。