[发明专利]激光器与硅光芯片集成结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811134139.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110954998B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光器与硅光芯片集成结构及其制备方法，激光器与硅光芯片集成结构包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波导；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波导，所述第二波导及所述第一波导将所述激光器芯片发出的光以倏逝波耦合的方式耦合至所述硅光芯片内。本发明制备的激光器与硅光芯片集成结构中激光器中的第一波导与硅光芯片中的第二波导通过倏逝波耦合的方式将激光器发出的光耦合至所述硅光芯片内，相比于现有技术中的端面耦合，本发明的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低，即使在对准有误差的实际工艺条件下，仍然具有较高的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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