[发明专利]高电压电容器、包括电容器的系统以及制造电容器的方法有效
申请号: | 201811134253.2 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109585426B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | D·G·帕蒂;G·瓦尔沃;D·圣菲利波 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例涉及高电压电容器、包括电容器的系统以及制造电容器的方法。在各种实施例中,本公开内容提供了电容器和形成电容器的方法。在一个实施例中,电容器包括衬底、衬底上的第一电极、第二电极和第一电介质层。第一电极的一部分暴露在接触区域中。第一电介质层包括第一电介质区域和第二电介质区域,第一电介质区域在第一电极和第二电极之间,第二电介质区域在第一电介质区域和接触区域之间。第二电介质区域与第一电介质区域相邻,并且第二电介质区域的表面限定第一电极和接触区域之间的表面路径。第二电介质区域具有多个沟槽,多个沟槽增加上述表面路径的空间延伸。 | ||
搜索关键词: | 电压 电容器 包括 系统 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容器,包括:衬底;所述衬底上的第一电极,所述第一电极的一部分被暴露在接触区域中;第二电极;以及第一电介质层,包括在所述第一电极和所述第二电极之间的第一电介质区域,和在所述第一电介质区域和所述接触区域之间的第二电介质区域,所述第二电介质区域与所述第一电介质区域相邻,所述第二电介质区域的表面限定所述第一电极和所述接触区域之间的表面路径,其中所述第二电介质区域具有多个沟槽,所述多个沟槽增加所述表面路径的空间延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811134253.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制造方法
- 下一篇:一种内置高压电阻器件