[发明专利]一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法有效

专利信息
申请号: 201811134947.6 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109126814B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 杨丽霞;罗燕燕;罗胜联 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: B01J23/885 分类号: B01J23/885;B01J37/34;B01J35/08
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 330000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法,可用来快速、简便的合成Cu3Mo2O9。以Na2MoO4·2H2O为原料,先在铜网上进行阳极氧化原位生长成微纳米球状结构的CuMoO4,接着在真空干燥箱干燥后经管式炉煅烧,最后得到性能稳定的微纳米球状Cu3Mo2O9。本发明简单、方便、成本低、可大规模用于工业生产,所得催化剂颗粒小(粒径只有860nm)、催化活性高、可再生、可重复利用、过程中不产生有毒有害物质,具有极高的经济效益和社会效益。
搜索关键词: 一种 纳米 结构 钼酸 原位 生长 方法
【主权项】:
1.一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法,包括如下步骤:(1)用乙醇、0.1mol/L的H2SO4、去离子水依次超声清洗30min尺寸为2cm×4cm的铜片,并置于真空干燥箱干燥。(2)将干燥后的铜片作为阳极,Pt片作为阴极,以含有钼酸钠溶液为电解液进行阳极氧化。阳极氧化的电压为3V,时间为5min,温度25℃。反应结束后,将铜网从反应体系中取出并用去离子水冲洗3次除去材料表面的溶液,得到黄绿色微纳米球状结构的铜基Cu3Mo2O9。(3)将步骤(2)氧化后的材料置于空气中自然晾干。(4)将步骤(3)中得到黄绿色的铜基Cu3Mo2O9微纳米球状结构的材料置于空气管式炉中进行煅烧处理。
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