[发明专利]一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法有效
申请号: | 201811134947.6 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109126814B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 杨丽霞;罗燕燕;罗胜联 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | B01J23/885 | 分类号: | B01J23/885;B01J37/34;B01J35/08 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: |
一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法,可用来快速、简便的合成Cu |
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搜索关键词: | 一种 纳米 结构 钼酸 原位 生长 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微纳米结构钼酸铜原位生长的方法,包括如下步骤:(1)用乙醇、0.1mol/L的H2SO4、去离子水依次超声清洗30min尺寸为2cm×4cm的铜片,并置于真空干燥箱干燥。(2)将干燥后的铜片作为阳极,Pt片作为阴极,以含有钼酸钠溶液为电解液进行阳极氧化。阳极氧化的电压为3V,时间为5min,温度25℃。反应结束后,将铜网从反应体系中取出并用去离子水冲洗3次除去材料表面的溶液,得到黄绿色微纳米球状结构的铜基Cu3Mo2O9。(3)将步骤(2)氧化后的材料置于空气中自然晾干。(4)将步骤(3)中得到黄绿色的铜基Cu3Mo2O9微纳米球状结构的材料置于空气管式炉中进行煅烧处理。
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