[发明专利]指纹感测装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811135390.8 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109308470B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 颜源 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;H01L27/14
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 提供一种面板识别技术,尤其指一种指纹感测装置及其制造方法,所述装置包括:一像素基板,其上形成多个感测像素单元,各所述感测像素单元具有一识别区与一读取区,各所述感测像素单元包括:一图案化遮光层,设置于所述识别区与读取区;一多晶硅层,设置于所述图案化遮光层上;一栅极层,设置于所述读取区内的所述多晶硅层上;一图案化介电层,设置于所述读取区内的所述栅极层上;一金属氧化物层,设置于所述识别区内的所述多晶硅层上;以及一源漏极金属膜层,设置于所述识别区内的所述金属氧化物层上与所述读取区内的所述图案化介电层上,达到无需复杂的成膜与光刻工艺且分辨率较高的有益效果。还提供所述指纹感测装置的制造方法。
搜索关键词: 指纹 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种指纹感测装置,其特征在于,包括:一像素基板,所述像素基板上形成有多个感测像素单元,各所述感测像素单元具有一识别区与一读取区,各所述感测像素单元包括:一图案化遮光层,设置于所述感测像素单元的所述识别区与所述读取区;一多晶硅层,设置于所述图案化遮光层上;一栅极层,设置于所述读取区内的所述多晶硅层上;一图案化介电层,设置于所述读取区内的所述栅极层上;一金属氧化物层,设置于所述识别区内的所述多晶硅层上;以及一源漏极金属膜层,设置于所述识别区内的所述金属氧化物层上与所述读取区内的所述图案化介电层上。
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