[发明专利]半导体封装件以及包括其的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201811136358.1 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN110047810B 公开(公告)日: 2023-05-19
发明(设计)人: 金泳龙;白承德 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/538;H10B80/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈宇;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了半导体封装件以及包括其的半导体器件。半导体封装件包括下芯片、位于下芯片上的上芯片以及位于下芯片与上芯片之间的粘合剂层。下芯片具有第一硅通孔(TSV)和位于其上表面上的垫。垫分别连接到第一TSV。上芯片包括在其下表面上的凸块。凸块键合到垫。凸块的竖直中心线分别与第一TSV的竖直中心线对准。在下芯片的外围区域中,凸块的竖直中心线分别从垫的竖直中心线偏移。
搜索关键词: 半导体 封装 以及 包括 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:下芯片,包括下芯片主体、竖直地延伸穿过下芯片主体的第一硅通孔和位于下芯片主体的上表面上的垫,垫分别电连接到第一硅通孔;上芯片,位于下芯片上,上芯片包括上芯片主体和位于上芯片主体的下表面上的凸块,凸块分别直接键合到下芯片的垫中的对应的垫,并且凸块中的每个凸块包括柱和焊料层;以及粘合剂层,位于下芯片主体与上芯片主体之间,其中,凸块的柱、第一硅通孔和垫中的每个具有在与下芯片主体的上表面垂直的方向上延伸的中心线,凸块的柱的中心线如在半导体封装件的平面图中所观看到的分别延伸穿过柱的几何中心,第一硅通孔的中心线分别延伸穿过第一硅通孔的轴向中心,垫的中心线如在半导体封装件的平面图中所观看到的分别竖直地延伸穿过垫的几何中心,凸块的柱的中心线分别与第一硅通孔的中心线对准,并且在下芯片的外围区域中,凸块的柱的中心线从垫中的所述凸块所键合到的对应的垫的中心线偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811136358.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top