[发明专利]一种功率芯片的划片方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201811136919.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109449084B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 武伟;李现兵;韩荣刚;吴军民;张喆;张朋;林仲康;唐新灵;石浩;王亮 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率芯片的划片方法及半导体器件，其中，该划片方法包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，划片槽露出晶圆背面的金属层；在划片槽内填充塑封材料；采用刀片切割方式对晶圆进行切割，得到若干个独立的芯片。该功率芯片的划片方法，先在晶圆的正面制备划片槽，划片槽延伸至晶圆背面的金属层，这样可以大大降低后续采用金刚石砂轮划片进行机械切割的切割强度；之后，在划片槽内填充塑封材料，塑封材料对芯片的侧壁进行了保护，提高了芯片的耐压等级；最后，采用刀片切割晶圆得到若干个独立的功率芯片；解决了现有技术中功率芯片采用机械切割方式进行划片导致在划片后的芯片正反两面边缘处产生崩边的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 划片 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率芯片的划片方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，所述划片槽露出晶圆背面的金属层；在所述划片槽内填充塑封材料；采用刀片切割方式对所述晶圆进行切割，得到若干个独立的芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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