[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法和扩散源有效
| 申请号： | 201811137401.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585151B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于：提高R‑T‑B系烧结磁体的磁体特性。解决课题的方案在于：本发明的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序；准备通过熔态旋凝法制得的Pr‑Ga合金的工序；以比上述Pr‑Ga合金的熔点低270℃的温度以上且熔点以下的温度对上述Pr‑Ga合金进行热处理，由上述Pr‑Ga合金的粉末得到扩散源的工序；和将上述R‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源配置于处理容器内，在真空或不活泼气体气氛中以超过600℃且950℃以下的温度对上述R‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源进行加热，由此从上述扩散源使Pr和Ga扩散到上述R‑T‑B系烧结磁体原材料的内部的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序，其中，R‑T‑B系烧结磁体原材料含有：R：27.5～35.0质量％，其中，R为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd，B：0.80～0.99质量％，Ga：0～0.8质量％，M：0～2质量％，其中，M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种，剩余部分T和不可避免的杂质，其中，T为Fe或Fe和Co；准备Pr‑Ga合金的工序；以比所述Pr‑Ga合金的熔点低270℃的温度以上且熔点以下的温度对所述Pr‑Ga合金进行热处理，将热处理后的Pr‑Ga合金粉碎，由此得到扩散源的工序；和扩散工序，其将所述R‑T‑B系烧结磁体原材料和所述扩散源配置于处理容器内，在真空或不活泼气体气氛中以超过600℃且950℃以下的温度对所述R‑T‑B系烧结磁体原材料和所述扩散源进行加热，由此使所述扩散源所含的Pr和Ga从所述R‑T‑B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部，所述Pr‑Ga合金是通过熔态旋凝法制得的合金。
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