[发明专利]减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811138874.8 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109360789A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 宋冬门;李君;夏余平;刘开源;王二伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明涉及一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：提供一槽体，槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在槽体内的流量均匀板，流量均匀板设有若干通孔，并将槽体所围成的空间沿槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入上腔；向下腔内注入刻蚀溶液，刻蚀溶液流经流量均匀板到达上腔，并对待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。本发明的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法具有流量均匀板，通过设置在流量均匀板上的孔对穿过流量均匀板的刻蚀溶液进行分流，使得通过孔进入到上腔的刻蚀溶液被分流成更多股，更多股的刻蚀溶液对上腔内存放的刻蚀溶液进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀溶液 均匀板 上腔 湿法刻蚀 刻蚀副产物 槽体 刻蚀半导体 多股 体内 分流 通过孔 放入 分隔 腔内 盛放 通孔 下腔 沿槽 离子 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一槽体，所述槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在所述槽体内的流量均匀板，所述流量均匀板设有若干通孔，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入所述上腔；向所述下腔内注入刻蚀溶液，所述刻蚀溶液流经所述流量均匀板到达上腔，并对所述待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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