[发明专利]一种基于N型单晶硅衬底的异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于N型单晶硅衬底的异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在N型单晶硅衬底的上下表面形成多个对应的第一沟槽与第二沟槽；对所述第一沟槽以及第一凸起进行研磨处理分别形成第一弧形角和第二弧形角；在所述N型单晶硅衬底的下表面的每个第二沟槽中形成N型重掺杂磷扩散区；在所述N型单晶硅衬底的上表面依次形成第一Spiro‑OMeTAD层、第二Spiro‑OMeTAD层、第一PEDOT:PSS层以及正面栅电极；最后在所述N型单晶硅衬底的下表面制备背面电极。本发明的方法制备基于N型单晶硅衬底的异质结太阳能电池具有高质量的有机薄膜，进而具有优异的光电转换效率。

主权项

1.一种基于N型单晶硅衬底的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一N型单晶硅衬底，所述N型单晶硅衬底的上表面为抛光面，在所述N型单晶硅衬底的上表面形成多个平行排列且间隔设置的第一沟槽，所述第一沟槽的截面为等腰梯形，相邻所述第一沟槽之间均形成一第一凸起，接着在所述N型单晶硅衬底的下表面形成多个平行排列且间隔设置的第二沟槽，多个所述第一沟槽与多个所述第二沟槽分别一一对应；2)接着对所述N型单晶硅衬底的上表面的多个所述第一沟槽以及多个所述第一凸起进行研磨处理，使得所述第一沟槽的底部的两个角均为第一弧形角，所述第一弧形角的曲率半径为5‑10微米，并使得所述第一凸起的顶部的两个角均为第二弧形角，所述第二弧形角的曲率半径为10‑15微米；3)接着在所述N型单晶硅衬底的上表面和下表面均喷涂含有异丙醇锆的溶液，并进行第一退火处理，以在所述N型单晶硅衬底的上表面和下表面均形成氧化锆层；4)接着利用掩膜对所述N型单晶硅衬底的下表面进行磷扩散工艺，以在所述N型单晶硅衬底的下表面的每个第二沟槽中形成N型重掺杂磷扩散区；5)接着在所述N型单晶硅衬底的上表面旋涂含有Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液，并进行第二退火处理，形成第一Spiro‑OMeTAD层；6)接着在所述N型单晶硅衬底的上表面旋涂含有Spiro‑OMeTAD和银纳米颗粒的氯苯溶液，并进行第三退火处理，形成第二Spiro‑OMeTAD层；7)接着在所述N型单晶硅衬底的上表面旋涂PEDOT:PSS溶液，并进行第四退火处理，形成第一PEDOT:PSS层；8)接着在所述N型单晶硅衬底的上表面制备正面栅电极；9)接着在所述N型单晶硅衬底的下表面制备背面电极。