[发明专利]用于最佳化微影曝光制程的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201811139174.0 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109581823B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: E·D·西尔韦拉;K·F·贝斯特;W·菲茨杰拉德;J·卢;S·宋;J·C·多纳赫;C·J·麦克劳林 申请(专利权)人: 鲁道夫科技股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市汉坤律师事务所 11602 代理人: 魏小薇;吴丽丽
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于最佳化微影曝光制程的系统和方法。提供一种用于校正未对准的方法。判定对于安装在基板上的装置群组的每一装置的对准。基于对于每个装置的各个对准,判定对于安装在基板上的装置群组的对准误差。基于对准误差,计算一个或多个校正因子。基于一个或多个校正因子,校正对准误差。
搜索关键词: 用于 最佳 化微影 曝光 系统 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,包含:光学地检查具有多个装置的基板;如果所述基板的所述多个装置中存在不一致,识别所述基板的所述多个装置中哪些装置是不一致的;由该光学检查的结果判定所述多个装置中的每一个相对于所述基板的对准,该对准的判定省略所述多个装置中任何不一致中的至少一些;至少基于部分的所述检查、识别和判定步骤,产生用于曝光所述多个装置的配方,所述配方包括关于一个或多个曝光投射区的资讯、曝光所述曝光投射区的顺序以及用于在所述一个或多个曝光投射区中的至少两者之间移动的路径;以及使用微影系统实施所述配方,以曝光所述多个装置的至少一部分。
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