[发明专利]一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法有效
| 申请号： | 201811139177.4 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109336099B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 雷彪;叶国永;刘红忠;张生睿;班耀文;赵国博;张鸿健 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法，首先配制含有镍离子的生长液，通过微波加热法在硅基底表面生长镍纳米粒子薄膜；然后将石墨烯纳米片与乙醇配置成混合液，将混合液匀速挤出到去离子水表面，获得悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片，转移悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片到硅基底上面的镍纳米粒子薄膜表面，对带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行烘干处理；最后对烘干后的带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行退火处理，快速冷却至室温；使用腐蚀液去除镍纳米粒子薄膜，获得大幅面高质量石墨烯薄膜；本发明实现了对微纳米石墨烯片进行结构缺陷修复与片间的拼接，工艺简单、可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 结构 缺陷 修复 拼接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯纳米片结构缺陷修复与片间拼接方法，其特征在于，包括以下步骤：1)硅基底表面生长镍纳米粒子薄膜：首先配制含有镍离子的生长液，然后准备清洗干净的硅基底，通过微波加热法在硅基底表面生长镍纳米粒子薄膜；2)转移分散液中的石墨烯纳米片：将石墨烯纳米片与乙醇按照比例配置成混合液，然后将混合液匀速挤出到去离子水表面，获得悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片；转移悬浮在去离子水表面的石墨烯纳米片到硅基底上面的镍纳米粒子薄膜表面；对带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行烘干处理；3)退火处理修复缺陷获得石墨烯薄膜：对烘干后的带有石墨烯纳米片及镍纳米粒子薄膜的硅基底进行退火处理，在真空环境下通入氢气，退火之后，快速冷却至室温，石墨烯纳米片的结构缺陷得到修复且片间拼接成连续的石墨烯薄膜；使用腐蚀液去除镍纳米粒子薄膜，获得大幅面高质量石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811139177.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
