[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法和扩散源有效
| 申请号： | 201811139367.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585152B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的技术课题在于提高R－T－B系烧结磁体的磁体特性。本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备通过雾化法制得的Pr－Ga合金粉末的工序；以比上述Pr－Ga合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对上述Pr－Ga合金粉末进行热处理，由上述Pr－Ga合金粉末得到扩散源的工序；和将上述R－T－B系烧结磁体原材料和上述扩散源配置在处理容器内，将上述R－T－B系烧结磁体原材料和上述扩散源在真空或不活泼气体气氛中以超过600℃且在950℃以下的温度加热，由此使Pr和Ga从上述扩散源扩散到上述R－T－B系烧结磁体原材料的内部的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材料含有：R：27.5～35.0质量％、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％、剩余部分T和不可避免的杂质，其中，R为稀土元素中的至少一种，并且必须包含Nd，M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种，T为Fe或Fe和Co；准备通过雾化法制得的Pr－Ga合金粉末的工序；以比所述Pr－Ga合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对所述Pr－Ga合金粉末进行热处理，由所述Pr－Ga合金粉末得到扩散源的工序；和将所述R－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源配置在处理容器内，将所述R－T－B系烧结磁体原材料和所述扩散源在真空或不活泼气体气氛中以超过600℃且在950℃以下的温度加热，由此使所述扩散源所含的Pr和Ga从所述R－T－B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序。
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