[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201811139884.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110965022B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈广辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；通过电感耦合形成的等离子体轰击石墨烯靶材，在基底上溅射沉积形成类金刚石碳薄膜。本发明的形成方法可明显提高所生成的类金刚石碳薄膜中sp |
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| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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