[发明专利]半导体结构的形成方法有效
申请号: | 201811139884.3 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN110965022B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 陈广辉 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 董天宝;于宝庆 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底;通过电感耦合形成的等离子体轰击石墨烯靶材,在基底上溅射沉积形成类金刚石碳薄膜。本发明的形成方法可明显提高所生成的类金刚石碳薄膜中sp |
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搜索关键词: | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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