[发明专利]InGaAs-InP基异质结光电晶体管

摘要

本发明公开了一种InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，包括衬底、生长在衬底上的发射区、生长在发射区上的基区、生长在基区上的集电区，其特征在于：所述发射区为P型InP，所述基区为N型InGaAs，所述集电区为P型InGaAs，通过调整所述发射区、基区、集电区的厚度和掺杂浓度来优化所述光电晶体管的工作电压和光响应度。本发明的InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，能够探测波长1550nm的红外光，且在0.5V工作电压、20μW/cm²的入射光功率下光响应度能够达到378A/W。

主权项

1.一种InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，包括衬底、生长在衬底上的发射区、生长在发射区上的基区、生长在基区上的集电区，其特征在于：所述发射区为P型InP，所述基区为N型InGaAs，所述集电区为P型InGaAs，通过调整所述发射区、基区、集电区的厚度和掺杂浓度来优化所述光电晶体管的光响应度。