[发明专利]电容器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811141437.1 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970557A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧;倪百兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；在所述第一层电极表面形成导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；在所述导电层表面形成电介质层；在所述电介质层表面形成第二层电极。其中结构包括：基底，位于所述基底上的第一层电极，所述第一层电极具有第一粗糙度；位于所述第一层电极表面的导电层，所述导电层具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于第一粗糙度；位于所述导电层表面的电介质层；位于所述电介质层表面的第二层电极。所述方法形成的电容器件的可靠性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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