[发明专利]支持双模式调制的存储器系统有效

专利信息
申请号: 201811142167.6 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109599136B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: R·N·哈斯布恩;T·M·霍利斯;J·P·莱特;D·D·甘斯 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及一种支持双模式调制的存储器系统。描述了在存储器存取的上下文中支持双模式调制的方法、系统及装置。一种系统可包含:存储器阵列,其与缓冲器耦合;及多路复用器,其可与所述缓冲器耦合,其中所述多路复用器可经配置以输出位对,所述位对表示存储于所述存储器阵列内的数据。所述多路复用器还可与驱动器耦合,其中所述驱动器可经配置以产生表示由所述多路复用器输出的所述位对的符号。
搜索关键词: 支持 双模 调制 存储器 系统
【主权项】:
1.一种系统,其包括:存储器阵列,其与缓冲器耦合;多路复用器,其与所述缓冲器耦合,所述多路复用器经配置以输出位对,所述位对表示存储于所述存储器阵列内的数据;及驱动器,其与所述多路复用器耦合,所述驱动器经配置以产生表示由所述多路复用器输出的所述位对的符号,所述位对表示存储于所述存储器阵列内的数据。
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