[发明专利]用以形成多层式光罩的方法在审
| 申请号： | 201811142966.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585278A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐崇威;苏煜中;吴振豪;李胜男;蔡宗霖;蔡腾群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin‑on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碳涂层 化学机械研磨 牺牲层 光罩 图案化光阻层 化学处理 多层式 阻抗 目标结构 蚀刻目标 | ||
【主权项】：
1.一种用以形成一多层式光罩的方法，其特征在于，包含：在一目标结构上，形成一碳涂层；化学处理该碳涂层的一上部分；在该碳涂层上，形成一牺牲层；在该牺牲层上进行一化学机械研磨制程，直到抵达该碳涂层，其中该碳涂层的经化学处理的该上部分对该化学机械研磨制程的阻抗高于该牺牲层对该化学机械研磨制程的阻抗；在该化学机械研磨制程后，在该碳涂层上形成一图案化光阻层；以及以该图案化光阻层作为一遮罩，蚀刻该目标结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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