[发明专利]用于从存储器位胞元读取数据的存储器系统和方法

摘要

本发明涉及用于从存储器位胞元读取数据的存储器系统和方法。已观察到，随着节点技术的大小按比例缩小，PFET驱动电流(即，驱动强度)超出用于类似尺寸的FET的N型FET NFET驱动电流。在这点上，在一个方面中，需要提供具有与NFET读取端口相对的PFET读取端口的存储器位胞元来增加对所述存储器位胞元的存储器读取时间，并且由此改进存储器读取性能。为了缓解或避免可能会在读取所述存储器位胞元时发生的读取扰乱条件，为具有PFET读取端口的存储器位胞元提供读取辅助电路。

主权项

1.一种存储器系统，其包括：存储器位胞元，其包括：存储电路，其经配置以存储数据，所述存储电路包括：正电源轨；负电源轨；以及一或多个反相器，其各自包括耦合到下拉N型场效应晶体管NFET的上拉P型场效应晶体管PFET，其中所述一或多个反相器的每一上拉PFET耦合到所述正电源轨，且所述一或多个反相器的每一下拉NFET耦合到所述负电源轨；以及一或多个PFET存取晶体管，其耦合到所述存储电路；以及所述一或多个PFET存取晶体管中的每一者包括栅极，所述栅极经配置以响应于读取操作而由字线激活以使得所述一或多个PFET存取晶体管将所述数据从所述存储电路传递到耦合到所述存储器位胞元的位线；位线驱动器，其经配置以响应于所述读取操作而预放电耦合到所述存储器位胞元的所述位线；以及读取辅助电路，其经配置以响应于所述读取操作而提升所述存储器位胞元中的电压以辅助将所述数据从所述存储电路传送到所述位线，所述读取辅助电路包括正电源轨正升压电路，所述正电源轨正升压电路耦合到所述一或多个反相器中的至少一个反相器的所述正电源轨，所述正电源轨正升压电路经配置以响应于所述读取操作而正提升所述正电源轨上的电压从而强化所述存储电路中的所述一或多个反相器。