[发明专利]一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811144011.1 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109301025A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 陆海;周东;渠凯军 申请(专利权)人: 镇江镓芯光电科技有限公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0312;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 任立
地址: 212400 江苏省镇江市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公布了一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法,一种低击穿电压雪崩光电探测器包括:衬底、吸收层、倍增层、p+层、保护层、n型电极、p型电极,一种低击穿电压雪崩光电探测器制备方法包括:PN结制备、制备保护层、制备电极。本发明通过优化各层厚度和掺杂浓度、分离吸收层和倍增层、优化结构来提高器的件可见盲性、量子效率、灵敏度、响应速度并降低击穿电压,提供一种击穿电压低、优化各层厚度与掺杂浓度、灵敏度更高、量子效率更高、响应速度快、吸收层与倍增层分离、可见盲性更好的低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法。
搜索关键词: 击穿电压 制备 雪崩光电探测器 倍增层 吸收层 量子效率 保护层 层厚度 灵敏度 盲性 掺杂 优化结构 电极 响应 电压低 衬底 击穿 优化
【主权项】:
1.一种低击穿电压雪崩光电探测器,其特征在于:包括:衬底(1)、吸收层(2)、倍增层(3)、p+层(4)、保护层(5)、n型电极(6)、p型电极(7)。
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