[发明专利]一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201811144011.1 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109301025A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 陆海;周东;渠凯军 | 申请(专利权)人: | 镇江镓芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0312;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212400 江苏省镇江市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公布了一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法,一种低击穿电压雪崩光电探测器包括:衬底、吸收层、倍增层、p+层、保护层、n型电极、p型电极,一种低击穿电压雪崩光电探测器制备方法包括:PN结制备、制备保护层、制备电极。本发明通过优化各层厚度和掺杂浓度、分离吸收层和倍增层、优化结构来提高器的件可见盲性、量子效率、灵敏度、响应速度并降低击穿电压,提供一种击穿电压低、优化各层厚度与掺杂浓度、灵敏度更高、量子效率更高、响应速度快、吸收层与倍增层分离、可见盲性更好的低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法。 | ||
搜索关键词: | 击穿电压 制备 雪崩光电探测器 倍增层 吸收层 量子效率 保护层 层厚度 灵敏度 盲性 掺杂 优化结构 电极 响应 电压低 衬底 击穿 优化 | ||
【主权项】:
1.一种低击穿电压雪崩光电探测器,其特征在于:包括:衬底(1)、吸收层(2)、倍增层(3)、p+层(4)、保护层(5)、n型电极(6)、p型电极(7)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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