[发明专利]环形振荡器在审
| 申请号： | 201811144047.X | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109274353A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/011 | 分类号： | H03K3/011;H03L7/099 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种环形振荡器，包括：三个PMOS晶体管，三个NMOS晶体管，一电阻，三个反相器；所述三个PMOS晶体管，三个NMOS晶体管形成反馈系统，节点VRES＝VRING，环形振荡器作为开关电容，R＝1/(F*C)，F是频率，C是振荡器所有电容，“*”表示乘号。本发明能够减小振荡频率f随电压、温度变化，使振荡频率更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 环形振荡器 振荡频率 反馈系统 开关电容 电容 反相器 振荡器 电阻 减小 | ||
【主权项】：
1.一种环形振荡器，其特征在于，包括：三个PMOS晶体管、三个NMOS晶体管、一电阻和三个反相器；第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压VDD端相连接，第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的栅极和漏极、第二NMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NBIAS；第二PMOS晶体管的栅极和漏极与第三PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PBIAS；第一PMOS晶体管的栅极与第三PMOS晶体管的漏极和第三NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PB2；第一NMOS晶体管的源极与三个反相器的电源输入端相连接，其连接的节点记为VRING，三个反相器的地连接端接地；第二NMOS晶体管的源极与第三NMOS晶体管的源极和第一电阻的一端相连接，其连接的节点记为VRES，第一电阻的另一端接地；三个反相器首尾依次相连接。
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