[发明专利]具有线圈结构的磁场传感器和制造方法在审
| 申请号： | 201811144679.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109581250A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 马克·艾斯勒 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种方法包括：在有源硅衬底的导电层中形成第一线圈段；在所述有源硅衬底的电绝缘层上方形成磁感元件，所述磁感元件通过所述电绝缘层与所述导电层中的所述第一线圈段分离。保护层形成于所述磁感元件上方。形成延伸穿过所述保护层和所述电绝缘层以与所述第一线圈段电耦合的导电通孔，且在所述保护层上方形成第二线圈段，所述第二线圈段与所述导电通孔电耦合以产生所述第一线圈段、所述导电通孔和所述第二线圈段的线圈结构，且所述线圈结构围绕所述磁感元件。 | ||
| 搜索关键词： | 线圈段 磁感元件 导电通孔 电绝缘层 线圈结构 保护层 导电层中 电耦合 硅衬底 磁场传感器 延伸穿过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包括：在有源硅衬底的导电层中形成第一线圈段；在所述有源硅衬底的电绝缘层上方形成磁感元件，所述磁感元件通过所述电绝缘层与所述导电层中的所述第一线圈段分离；在所述磁感元件上方形成保护层；形成延伸穿过所述保护层和所述电绝缘层以与所述第一线圈段电耦合的导电通孔；以及在所述保护层上方形成第二线圈段，所述第二线圈段与所述导电通孔电耦合以产生所述第一线圈段、所述导电通孔和所述第二线圈段的线圈结构，且所述线圈结构围绕所述磁感元件。
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