[发明专利]一种多壁碳纳米管压阻传感器及其制备方法有效
申请号: | 201811144841.4 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109374159B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 朱玲;刘向辉;吴懿平;王威 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22;G01B7/16;B82Y15/00 |
代理公司: | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人: | 赵文曲 |
地址: | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种多壁碳纳米管压阻传感器及其制备方法,其中多壁碳纳米管压阻传感器的制备方法包括步骤:制备熔融状态的导电纳米复合材料,并装入注射器;将预制的未固化的硅树脂挤入到3D打印机的打印基板上,静置后形成部分固化的绝缘基质;通过3D打印机将导电纳米复合材料打印到部分固化的绝缘基质中,以形成导电追踪;将打印有导电追踪的绝缘基质固化,使导电追踪与绝缘基质相互粘合,以得到多壁碳纳米管压阻传感器,本发明多壁碳纳米管压阻传感器和多壁碳纳米管压阻传感器的制备方法制备得到的多壁碳纳米管压阻传感器不仅解决了导电层和衬底之间的粘附问题,还具有很好的可拉伸性和防磨损性,且通过打印制备,简化了内部复杂电路图案的设计,制作简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 多壁碳 纳米 管压阻 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多壁碳纳米管压阻传感器,其特征在于,包括绝缘基质和导电追踪,导电追踪嵌设在绝缘基质内部,所述绝缘基质的材质为硅树脂,所述导电追踪为由多壁碳纳米管与硅氧烷混合形成的导电线路。
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