[发明专利]补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811144998.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970297A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种补偿性蚀刻方法及结构、半导体器件及其制备方法，所述方法至少包括：提供衬底；于所述衬底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层具有若干个不同曝露面积图形；基于目标蚀刻深度并利用所述绝缘介质层的小曝露面积图形，补偿性蚀刻所述衬底；以所述绝缘介质层为掩膜，蚀刻所述衬底，直至于所述衬底上形成若干个不同曝露面积图形，且所述衬底的不同曝露面积图形的蚀刻深度同时达到所述目标蚀刻深度。本发明通过预先补偿性蚀刻衬底的小曝露面积图形来消除与蚀刻深宽比相关的负载效应，从而调控不同曝露面积图形的蚀刻深度达到一致，大大提高了集成电路制作的成功率，并能有效提高制备得到的半导体器件电气性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿性 蚀刻 方法 结构 半导体器件 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811144998.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
