[发明专利]一种高强度的芳杂环聚合物薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811145196.8 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109337364A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 潘鑫;刘文熙;王庭辉 | 申请（专利权）人： | 潘鑫;刘文熙;王庭辉 |
| 主分类号： | C08L79/04 | 分类号： | C08L79/04;C08K3/34;C08K3/04;C08K3/36;C08K3/38;C08K3/22;C08K3/30;C08K3/26;C08K7/20;C08K7/14;C08K7/06;C08G73/06;C08J5/18;C09K11 |
| 代理公司： | 东莞市十方专利代理事务所(普通合伙) 44391 | 代理人： | 黄云 |
| 地址： | 610000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种高强度的芳杂环聚合物薄膜及其制备方法和应用，所述芳杂环聚合物薄膜由芳杂环聚合物树脂经酸浴湿法拉伸成膜工艺制得,所述芳杂环聚合物树脂的制备方法为：以对苯二甲酸和邻苯二甲酸中的至少一种和硫酸肼为反应原料，在发烟硫酸中进行缩聚反应，得到所述芳杂环聚合物树脂。本发明的芳杂环聚合物薄膜具有较高的强度，还具有良好的尺寸稳定性、耐热性、耐氧化、电绝缘、耐溶剂性、特殊的导电性以及电致发光等性能，综合性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 芳杂环聚合物 薄膜 树脂 制备方法和应用 耐热性 薄膜技术领域 导电性 对苯二甲酸 邻苯二甲酸 成膜工艺 电致发光 发烟硫酸 反应原料 耐溶剂性 缩聚反应 综合性能 电绝缘 硫酸肼 耐氧化 酸浴 制备 | ||
【主权项】：
1.一种高强度的芳杂环聚合物薄膜，所述芳杂环聚合物薄膜包括芳杂环聚合物树脂，其特征在于：所述芳杂环聚合物树脂的结构式如下：![]()
或者![]()
或者![]()
其中，m、n、x和y均为正整数。
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