[发明专利]功率器件多场板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811145353.5 申请日: 2018-09-29
公开(公告)号: CN109378270A 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 任永硕;王荣华;梁辉南;高珺 申请(专利权)人: 大连芯冠科技有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/027
代理公司: 大连非凡专利事务所 21220 代理人: 闪红霞
地址: 116023 辽宁省大连市高新技术*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高且可保证加工精度的功率器件多场板的制备方法,与现有技术的区别是将光刻胶层逐次划分区域并控制各区域曝光时间,使光刻胶层在水平方向上分为完全曝光区、不完全曝光区及未曝光区,所述完全曝光区位于中部,完全曝光区两侧由下至上分别与不完全曝光区内侧面、不完全曝光区上表面及未曝光区相接且界面连续呈阶梯状;控制显影时间使光刻胶层的完全曝光区溶于显影液中并保留不完全曝光区及未曝光区;刻蚀至在介质层上形成多个场板台阶为止。
搜索关键词: 曝光区 光刻胶层 未曝光区 场板 功率器件 制备 划分区域 曝光 工艺流程 阶梯状 介质层 上表面 显影液 刻蚀 显影 侧面 保留 加工 保证
【主权项】:
1.一种功率器件多场板的制备方法,其特征在于依次按照如下步骤进行:a. 在基片上制备介质层(1);b. 在介质层(1)上涂布光刻胶层(2);c. 将光刻胶层(2)逐次划分区域并控制各区域曝光时间,使光刻胶层(2)在水平方向上分为完全曝光区(2.1)、不完全曝光区(2.2)及未曝光区(2.3),所述完全曝光区(2.1)位于中部,完全曝光区(2.1)两侧由下至上分别与不完全曝光区(2.2)内侧面、不完全曝光区(2.2)上表面及未曝光区(2.3)相接且界面连续呈阶梯状;d. 控制显影时间使光刻胶层(2)的完全曝光区(2.1)溶于显影液中并保留不完全曝光区(2.2)及未曝光区(2.3);e. 刻蚀至在介质层(1)上形成多个场板台阶(3)为止;f. 去除残留的光刻胶层(2);g. 在多个场板台阶(3)处制备多场板(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连芯冠科技有限公司,未经大连芯冠科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811145353.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top