[发明专利]功率器件多场板的制备方法在审
申请号: | 201811145353.5 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109378270A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 任永硕;王荣华;梁辉南;高珺 | 申请(专利权)人: | 大连芯冠科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/027 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高且可保证加工精度的功率器件多场板的制备方法,与现有技术的区别是将光刻胶层逐次划分区域并控制各区域曝光时间,使光刻胶层在水平方向上分为完全曝光区、不完全曝光区及未曝光区,所述完全曝光区位于中部,完全曝光区两侧由下至上分别与不完全曝光区内侧面、不完全曝光区上表面及未曝光区相接且界面连续呈阶梯状;控制显影时间使光刻胶层的完全曝光区溶于显影液中并保留不完全曝光区及未曝光区;刻蚀至在介质层上形成多个场板台阶为止。 | ||
搜索关键词: | 曝光区 光刻胶层 未曝光区 场板 功率器件 制备 划分区域 曝光 工艺流程 阶梯状 介质层 上表面 显影液 刻蚀 显影 侧面 保留 加工 保证 | ||
【主权项】:
1.一种功率器件多场板的制备方法,其特征在于依次按照如下步骤进行:a. 在基片上制备介质层(1);b. 在介质层(1)上涂布光刻胶层(2);c. 将光刻胶层(2)逐次划分区域并控制各区域曝光时间,使光刻胶层(2)在水平方向上分为完全曝光区(2.1)、不完全曝光区(2.2)及未曝光区(2.3),所述完全曝光区(2.1)位于中部,完全曝光区(2.1)两侧由下至上分别与不完全曝光区(2.2)内侧面、不完全曝光区(2.2)上表面及未曝光区(2.3)相接且界面连续呈阶梯状;d. 控制显影时间使光刻胶层(2)的完全曝光区(2.1)溶于显影液中并保留不完全曝光区(2.2)及未曝光区(2.3);e. 刻蚀至在介质层(1)上形成多个场板台阶(3)为止;f. 去除残留的光刻胶层(2);g. 在多个场板台阶(3)处制备多场板(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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