[发明专利]一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器有效
| 申请号： | 201811145553.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109346600B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 任天令;田禾;王雪峰;吴凡;杨轶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，属于阻变存储器技术领域。包括：电极输入信号装置，以及依次层叠的衬底、第一电极、下阻变层、半导体层、上阻变层和第二电极；通过所述电极输入信号装置使得所述第一电极和第二电极间电压呈单一方向的逐渐增大或连续锯齿波状增大，在此过程中，根据上、下阻变层间导电通道的形成情况和熔断情况定义多种状态，由前后状态间转变概率组成的状态转移矩阵和由状态出现概率组成的状态概率向量之间的关系满足马尔可夫链算法。本发明完成了在单个器件中实现3个数字随机数发生器并集成马尔可夫链算法的目的，可大大减小硬件面积；且本发明的结构与传统的CMOS结构兼容，制备方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 集成 马尔可夫链 算法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器包括：电极输入信号装置，以及依次层叠的衬底、第一电极、下阻变层、半导体层、上阻变层和第二电极；其中，所述第一电极和第二电极分别与所述电极输入信号装置的负极和正极相连或相反亦可，用于导电以完成所述阻变存储器中电子的输运；所述下阻变层和上阻变层分别用于形成导电通道，以改变所述第一电极和第二电极间的电阻值；所述半导体层用于吸附在电场作用下移动的离子并分隔在所述下阻变层和上阻变层之间连续的导电通道；通过所述电极输入信号装置使得所述第一电极和第二电极间电压呈单一方向的逐渐增大或连续锯齿波状增大，在此过程中，根据上、下阻变层间导电通道的形成情况和熔断情况定义多种状态，由前后状态间转变概率组成的状态转移矩阵和由状态出现概率组成的状态概率向量之间的关系满足马尔可夫链算法。
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